可见光LED的进展——超高亮度LED及应用(二)

被引：3

作者：

张万生

梁春广

机构：

[1] 电子工业部第十三研究所

来源：

关键词：

SiGe/Si strained layer Heterojunction Si Ge BJT HBT;

D O I：

10.13250/j.cnki.wndz.1997.04.002

中图分类号：

TN31 [半导体二极管];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

可见光ＬＥＤ的进展——超高亮度ＬＥＤ及应用（二）张万生梁春广（电子工业部第十三研究所，石家庄，０５００５１）４超高亮度发光管的发展［９～１４］４．１ＩｎＧａＡｌＰＤＨＬＥＤ发光强度达到坎德拉级发光管的高亮度化一直是半导体材料和器件的前沿课题之一，超高...

引用

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