牵引用3300V IGBT芯片均匀性及其对可靠性的影响

被引：6

作者：

刘国友 ^{[1
]}

罗海辉 ^{[1
]}

刘可安 ^{[2
]}

黄建伟 ^{[1
]}

张泉 ^{[1
]}

机构：

[1] 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心

[2] 株洲南车时代电气股份有限公司技术中心

来源：

机车电传动 | 2013年 / 02期

关键词：

高压IGBT; 轨道交通; 芯片工艺; 性能均匀性; 可靠性;

D O I：

10.13890/j.issn.1000-128x.2013.02.001

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

为满足轨道交通领域牵引用3300 V IGBT芯片应具有优良的栅极控制特性、较低的通态压降和较宽的安全工作区的要求,对3300 V IGBT芯片工艺进行了深入研究。在工艺控制和关键工艺改进方面采取措施,全面提升了牵引用3300 V IGBT芯片在栅极特性、电压阻断、导通特性和安全工作区等方面的表现,进而大幅度提高了芯片的可靠性。

引用

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共 4 条

[1]

牵引级1500A/3300V IGBT功率模块的热学设计与仿真 [J].