纳米非晶氮化硅键态结构的X射线径向分布函数研究

本文用X射线径向分布函数法研究了室温到1000℃不同退火条件下的纳米非晶氮化硅样品的微结构和键合特征。观察到占庞大体积百分数界面不是“gas-like”结构,而是与非晶纳米粒子不同的新的短程序结构。Si—N键长和最近邻原子配位数（CN）均比传统Si3N4小,并存在大量的Si悬键和不饱和键。纳米氮化硅与传统Si3N4饱和共价键不同,是含有大量非饱和键和悬键的非典型共价键结构。由于键配位的不饱和特征,纳米非晶氮化硅的分子式应写作Si3-xN4-y。纳米非晶氮化硅出现强极性与非饱和键和悬键有密切的关系。