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高分子薄膜等离子体表面改性的研究
被引:13
作者
:
李瑛,茅素芬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安交通大学化工学院高分子系
李瑛,茅素芬
机构
:
[1]
西安交通大学化工学院高分子系
来源
:
功能材料
|
1995年
/ 05期
关键词
:
等离子体,表面电阻,高分子薄膜;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O484 [薄膜物理学];
学科分类号
:
080501 ;
1406 ;
摘要
:
本文采用不同的等离子体改性PI、PET、PP薄膜,发现经处理的薄膜的表面电阻(R_5)降低了2~4个数量级,材料的介电损耗(tgδ)和介电常数(ε)也发生了变化。表面薄膜刻蚀深度随放电时间的延长而增加。红外分析证明在薄膜表面结构中引入了极性基团。
引用
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页码:468 / 471
页数:4
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