光纤耦合二极管端泵2μm CW双掺Tm,Ho∶GdVO激光器

被引：4

作者：

姚宝权

张兴宝

王月珠

贺万俊

李玉峰

鞠有论

不详

机构：

[1] 哈尔滨工业大学光电子技术研究所

[2] 哈尔滨工业大学光电子技术研究所哈尔滨

[3] 哈尔滨

[4] 哈尔滨

来源：

光子学报 | 2005年 / 07期

关键词：

光纤耦合激光二极管; Tm,Ho∶GdVO4晶体;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248.1 [固体激光器];

学科分类号：

摘要：

同YLF和YAG基质相比,在TmHo∶GdVO4晶体中Tm3+离子在800nm附近有非常强的和宽的吸收带,所以该晶体非常适合商品化的GaAlAs激光二极管泵浦.在液氮制冷晶体条件下,利用光纤耦合激光二极管及消色差光学耦合系统端面泵浦双掺5%Tm,0.5%Ho∶GdVO4晶体,在泵浦功率14W、泵浦波长794nm时,实现了2.048μm激光输出,连续运转输出功率3.6W,相应的光光转换效率为25.7%,斜率效率26.6%.相对于吸收的泵浦功率,光光转换效率为35%.由于Tm3+离子间的交叉弛豫效应,泵浦量子效率达到1.3.

引用

页码：964 / 967

页数：4

共 8 条

[1]

ADiode pumped1.4WTm3+∶GdVO4microchiplaserat1.9μm. WyssCP,LuthyW,WeberHP,etal. IEEEJQuantumElectro . 1998

[2]

Lowthresholdlaser diodesidepumpedTm∶YAGandTm,Ho∶YAGlaser. GunnarRustad,KnutStenersen. IEEEJQuantumElectron . 1997

[3]

Spectroscopic investigationofthevisibleandmid infraredemissionin Tm andHo dopedYAGandYLFcrystals. FalconieriM,LanziA,SalvettiG. CLEO,LasersandElectro opticsEurope,conference: Persistent Link .

[4]

Emission propertiesofaTm3+∶GdVO4microchiplaserat1.9μm. WyssCP,,LuthyW,WeberHP,etal. ApplPhysB . 1998

[5]

Spectroscopyanddiodelaser-pumpedoperationofTm,Ho:YAG. FanTY,HuberG,ByerRL,etal. IEEEJ.Quant.Elec . 1988

[6]

ThermalconductivityofaTm3+∶GdVO4crystaland theoperationalcharacteristicsofamicrochiplaserbased onit. ZagumennyiAI,ZavartsevYuD,StudenikinPA,et al. Quantum Electronics . 1999

[7]

Laseroperation andspectroscopyofTm,Ho∶GdVO4. MorrisPJ,,LuthyW,WeberHP,etal. Optics Communication . 1994

[8]

Performanceof aTm3+∶GdVO4microchiplaserat1.9μm. WyssCP,LuthyW,WeberHP,etal. Optics Communication . 1998

← 1 →