GIS金属颗粒放电发展的试验研究

被引:19
作者
耿弼博
机构
[1] 高电压与电磁兼容北京市重点实验室
关键词
金属颗粒; 局部放电; 谱图特征; 脉冲电流;
D O I
暂无
中图分类号
TM595 [全封闭组合电器];
学科分类号
摘要
为了观察GIS内部绝缘子表面固定金属颗粒放电的发展过程,在252 kV GIS中设置绝缘子表面固定金属颗粒缺陷,采用长时间逐步升压法使放电起始、发展直至沿面闪络。在放电发展过程中采用脉冲电流法实时监测局部放电的脉冲,统计形成表面固定金属颗粒局部放电发展过程中不同阶段的N-Φ谱图、Vmax-Φ谱图以及Vave-Φ谱图。实验结果表明:随着放电的发展,局部放电的谱图出现变化,产生一些相应的特征:在放电发展中期,N-Φ谱图的负半波会呈现双峰结构,在相位250°附近会出现幅值较大、次数较多的放电,并在338°353°相位区间内将出现放电,这些都是有别于局部放电初期阶段的重要特征。
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