SiO2对（Sr,Bi,Si,Ta）掺杂的TiO2基压敏陶瓷电性能的影响

被引：10

作者：

孟凡明

胡素梅

傅刚

方庆清

机构：

[1] 安徽大学物理与材料科学学院

[2] 茂名学院技术物理系

[3] 广州大学固体物理与材料研究实验室

[4] 安徽大学物理与材料科学学院安徽合肥

[5] 广东茂名

[6] 广东广州

[7] 安徽合肥

来源：

关键词：

TiO2基压敏陶瓷; 压敏电压; 非线性系数; 电容量; 晶粒电阻; 半导化;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM54 [电阻器、电位器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

研究SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响,发现按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3)+0.075%Ta2O5+0.3%SiO2配制的样品具有最低的压敏电压、最大的相对介电常数及最小的晶粒电阻。

引用

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