IGBT器件的发展现状以及在智能电网中的应用

被引：74

作者：

金锐 ^{[1
]}

于坤山 ^{[1
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张朋 ^{[1
]}

刘先正 ^{[1
]}

何维国 ^{[2
]}

刘隽 ^{[2
]}

机构：

[1] 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所

[2] 上海市电力公司

来源：

智能电网 | 2013年 / 1卷 / 02期

关键词：

绝缘栅双极型晶体管; 功率半导体; 电力电子;

D O I：

10.14171/j.2095-5944.sg.2013.02.002

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

以绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)为代表的可关断半导体功率器件的成熟应用,推动了电力电子技术的又一次革新。首先介绍IGBT在智能电网中应用的重要性,对20多年来IGBT器件在芯片和封装等技术在国内外的发展水平进行回顾。重点分析IGBT的选型特点和在电网中的典型应用,最后分析在这些应用中使用IGBT器件所带来的深远影响。

引用

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