未找到相关数据
氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察
被引：2
作者：
王敬
屠海令
刘安生
张椿
周旗钢
朱悟新
高曰文
李建明
机构：
[1] 北京有色金属研究总院
[2] 中国科学院北京电子显微镜实验室
[3] 中国科学院半导体研究所
来源：
关键词：
硅,高压电子显微镜,离子注入,氢,扩散;
D O I：
10.19476/j.ysxb.1004.0609.1998.04.013
中图分类号：
TN304.12 [];
学科分类号：
摘要：
采用高压电子显微镜（ＨＶＥＭ）的原位观察技术，在１ＭＶ加速电压和室温至６５０℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在５００℃以下，氢离子注入缺陷层基本没有变化，在６５０℃保温时，缺陷的密度逐渐降低，样品中薄区域部分的缺陷在保温２０ｍｉｎ后消失，而厚区域部分在保温４０ｍｉｎ后仍存有部分缺陷，说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象，提出氢可能是以Ｈ２分子的形式扩散的
引用
收藏
页码：67 / 71
页数：5
相关论文