中子辐照下的6H-SiCpn结电特性分析

被引：5

作者：

尚也淳

张义门

张玉明

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子所!西安

来源：

半导体学报 | 2000年 / 07期

关键词：

pn结特性; 6H-SiC; 中子辐照;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

用中子辐照在 6H- Si C pn结中引入的复合中心和深能级陷阱解释了 Si C pn结辐照后电特性退化的现象 ,并推导了辐照后 Si C pn结理想因子与外加电压的关系 ,给出了 Si C pn结中子辐照电特性退化的模型 ,模拟结果和实验数据的对比说明关于 Si C pn结电特性退化的理论解释是正确的

引用

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