带开孔金属腔体内部耦合场强分布的实验研究

被引：3

作者：

夏志勇 ^{[1
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王辉 ^{[1
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胡新 ^{[1
]}

肖集雄 ^{[2
]}

徐晓英 ^{[1
]}

机构：

[1] 武汉理工大学理学院

[2] 武汉大学电气工程学院

来源：

关键词：

电磁屏蔽; 金属腔体; 场强分布; 孔缝耦合;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN03 [结构];

学科分类号：

080904 ;

摘要：

对入射频率100～1 000 MHz内通过矩形开孔耦合入金属腔体内部的场强分布进行了实验研究,分析了矩形开孔尺寸与发生谐振现象时腔体内部场强分布间的关系,为从理论角度定量研究腔体内部耦合场强分布提供了实验依据,对电子设备金属腔体内的PCB板或敏感元器件的放置方式起到一定的指导作用.

引用

页码：481 / 484+593 +593

页数：5