脑深部刺激电极的结构优化及其模拟分析

被引：6

作者：

连芩 ^{[1
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王珏 ^{[1
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刘红忠 ^{[1
]}

张永睿 ^{[1
]}

王庆丰 ^{[2
]}

机构：

[1] 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室

[2] 西安交通大学生物医学信息工程教育部重点实验室

来源：

西安交通大学学报 | 2008年 / 42卷 / 12期

基金：

中国博士后科学基金;

关键词：

脑深部刺激; 电极; 模拟分析; 结构优化;

D O I：

暂无

中图分类号：

R318 [生物医学工程];

学科分类号：

0831 ;

摘要：

为了进一步揭示脑深部电刺激术中微脑电极的结构与电刺激参数之间的关联作用对神经活动的抑制机理,利用有限元方法,研究微脑电极刺激触点结构对其作用区域的刺激范围和刺激程度.分析结果表明,电极触点阵列,特别是触点长度和触点间距是微脑电极结构尺寸中的关键因素,也是对脑电极作用区域影响最大的结构尺寸.电极触点长度或触点间距的增加将会增大对脑部的刺激强度和刺激范围,同时触点长度2倍于触点间距将使得脑部的刺激更加平稳、有效.电极触点长度和触点间距不仅直接影响其作用位置,而且影响其对脑部作用区域的刺激强度和刺激范围的变化规律.研究结果为微脑电极的构建提供了新的设计依据.

引用

页码：1537 / 1540

页数：4

共 3 条

[1]

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