IGBT的瞬态保护和缓冲电路

被引：10

作者：

杨岳峰

张奕黄

机构：

[1] 北京市北方交通大学电气工程学院

[2] 北京市北方交通大学电气工程学院北京市

[3] 北京市

来源：

电机电器技术 | 2003年 / 03期

关键词：

IGBT; 缓冲吸收回路;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

IGBT绝缘栅双极性功率晶闸管是MOS管同双极性晶体管结合的产物 ,一般的IGBT模块都是几合一或一个IGBT一个续流二极管集成而成 ,IGBT的栅压不能过高 ,过高很容易击穿 ,所以IGBT的门极都并联两个反并联 15V～ 18V的稳压二极管。同时由于人体电容很小 ,积累少量电荷就能产生高压 ,所以尽量避免用于触摸IGBT的引脚 ,同时 ,在IGBT没有接入电路中长期放置时 ,应将其门极同阴极短路 ,在使用中要尤其注意IGBT的瞬态保护 ,否则很有可能损坏IGBT。

引用

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