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电容过程成像技术的进展
被引:36
作者
:
王化祥
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
天津大学自动化系!天津,英国曼彻斯特理工大学电气与电子工程系
王化祥
杨五强
论文数:
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机构:
天津大学自动化系!天津,英国曼彻斯特理工大学电气与电子工程系
杨五强
机构
:
[1]
天津大学自动化系!天津,英国曼彻斯特理工大学电气与电子工程系
来源
:
仪器仪表学报
|
2000年
/ 01期
关键词
:
阵列式敏感电极;
抗杂散电容C/V转换电路;
图像再构算法;
D O I
:
10.19650/j.cnki.cjsi.2000.01.002
中图分类号
:
TP274 [数据处理、数据处理系统];
学科分类号
:
0804 ;
080401 ;
080402 ;
081002 ;
0835 ;
摘要
:
本文详细介绍了电容过程成像技术的新进展 ,其中包括阵列式敏感电极结构设计 ,具有抗杂散电容影响的高灵敏 AC桥电容检测线路以及 L andweber迭代算法再构图像 ,从而使成像系统性能指标明显得到改善。
引用
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