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In2O3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制
被引：42
作者：
陈猛
白雪冬
黄荣芳
闻立时
机构：
[1] 中国科学院金属研究所!沈阳,中国科学院金属研究所!沈阳,中国科学院金属研究所!沈阳,中国科学院金属研究所!沈阳
来源：
关键词：
导电薄膜;
In2O3∶Sn;
ZnO∶Al;
结构;
导电机制;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.21 [];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格膨胀来源于 Sn2 +对 In3-的替换 ,导电电子则由氧缺位提供 ;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于 Sn4 + 对 In3+ 的替换 ,导电电子则主要由 Sn4 + 取代 In3+ 后提供 .低温 ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力 ,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致 ,即由 Al3+ 对 Zn2 + 的替换和氧缺位两者共同提供
引用
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页数：6
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