以单质Si、C原料制备反应烧结碳化硅的研究

被引：5

作者：

武七德

郭兵健

鄢永高

李美娟

机构：

[1] 武汉理工大学

来源：

武汉理工大学学报 | 2003年 / 04期

关键词：

反应烧结碳化硅; 硅填充剂; 显微结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业];

学科分类号：

摘要：

以 C- Si坯体融渗 Si的方法制备反应烧结碳化硅 ,研究了坯体中 Si含量对素坯结构、物相组成以及材料性能的影响。 C转化为 Si C时的体积效应是引起坯体毛细管阻塞的主要原因。 Si粉的掺入提供了精细地调整坯体结构的手段 ,使 Si C的转化率得以提高。烧结过程研究表明 ,预掺 Si使部分 Si C的合成反应提前进行 ,反应发热得以减缓。当调整坯体中 C含量为 0 .84 g/ cm3时 ,制得了密度与断裂强度分别为 3.0 9g· cm- 3和 5 5 0± 2 5 MPa的反应烧结碳化硅材料

引用

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