脉冲激光烧蚀沉积ZnSe薄膜的研究

被引：4

作者：

许宁

李富铭

Boo Bong-Hyung

Lee Jea-Kuang

Cho Han-Joung

机构：

[1] 复旦大学光科学工程系三束材料改性国家重点实验室!上海

[2] DepartmentofChemistry!ChungnamNationalUniversity

[3] Taejon

[4] KoreaandCenterforMolecularScience

[5] KusungdongYusunggu

[6] Korea

[7] D

来源：

中国激光 | 2001年 / 07期

关键词：

激光烧蚀; ZnSe薄膜; 二维生长模式;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN249 [激光的应用]; O4841 [];

学科分类号：

摘要：

用 2 48nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜。靶采用多晶ZnSe片 ,衬底采用抛光GaAs(10 0 )。衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理。原子力显微镜 (AFM )观察显示在GaAs(10 0 )沉积的ZnSe薄膜的平均粗糙度为 3～ 4nm。X射线衍射 (XRD)结果表明ZnSe薄膜 (4 0 0 )峰的半高宽 (FWHM)为 0 4°～ 0 5°。对激光烧蚀团束的四极质谱分析表明烧蚀团束主要由Zn ,Se和 2Se组成 ,并由此推断ZnSe薄膜的二维生长模式。

引用

页码：661 / 663

页数：3

共 8 条

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