一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器

被引：6

作者：

徐玮鹤

车录锋

李玉芳

熊斌

王跃林

机构：

[1] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

[2] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海中国科学院研究生院

[3] 北京

来源：

半导体学报 | 2007年 / 10期

关键词：

电容式加速度传感器; 硅/硅键合; 圆片级真空封装;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212.1 [物理传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅四层键合高对称电容式加速度传感器.采用硅/硅直接键合技术实现中间对称梁质量块结构的制作,然后采用硼硅玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合.在完成整体结构圆片级真空封装的同时,通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线.传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.68mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.84mm.对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器漏率小于0.1×10-9cm3/s,灵敏度约为6pF/g,品质因子为35,谐振频率为489Hz.

引用

页码：1620 / 1624

页数：5

共 7 条

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