创伤性脑水肿的在体研究

被引:13
作者
刘海鹏
王正国
张可成
尹志勇
谢伯林
刘宝松
朱佩芳
陈海斌
机构
[1] 第三军医大学附属新桥医院神经外科
[2] 第三军医大学附属大坪医院野战外科研究所
[3] 第三军医大学附属大坪医院野战外科
关键词
脑水肿,创伤性; 电阻抗;
D O I
暂无
中图分类号
R651.15 [];
学科分类号
1002 ; 100210 ;
摘要
目的 探讨在体研究创伤性脑水肿的方法。 方法 选择15 个频率点,测量大鼠中度颅脑创伤后伤区组织的电阻抗,分析脑水肿的变化。 结果 伤后早期细胞外液电阻(Re) 明显下降,细胞内液电阻(Ri) 无明显变化,ReRi 也明显下降;6 h 后Re 略有升高,Ri 明显下降,ReRi明显增加;伤后24 ~72 h 脑水肿达高峰,伤后7 d 基本恢复。 结论 伤后早期电阻抗的变化提示发生了血管源性脑水肿,伤后6 h 电阻抗变化表明细胞内液增多,细胞毒性脑水肿形成。多频率点电阻抗测试可在体反映创伤性脑水肿的发生发展。
引用
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