ZnO玻璃系压敏电阻配方研究

被引：4

作者：

周东祥

付明

龚树萍

王礼琼

机构：

[1] 华中理工大学电子科学与技术系

来源：

华中理工大学学报 | 2000年 / 03期

关键词：

压敏电阻; 玻璃料; 过渡金属氧化物; 晶界势垒; 电性能;

D O I：

10.13245/j.hust.2000.03.034

中图分类号：

TM54 [电阻器、电位器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

研究了 Zn O玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响 .发现玻璃料的添加量 w玻璃料一般在 8.0 %～ 1 0 .0 %时效果最佳 .Sb2 O3的引入可生成 Zn7Sb2 O1 2 尖晶石相 ,抑制晶粒的生长 ,并使压敏场强E和非线性系数 α值增加 .Co和 Mn的添加使界面态密度增加 ,引起势垒升高 ,使非线性特性显著提高

引用

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