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铁电存储器及研究进展
被引:4
作者
:
王华
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机构:
桂林电子工业学院通信与信息工程系!广西桂林
王华
任鸣放
论文数:
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引用数:
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0
机构:
桂林电子工业学院通信与信息工程系!广西桂林
任鸣放
机构
:
[1]
桂林电子工业学院通信与信息工程系!广西桂林
[2]
桂林电子工业学院计算科学与应用物理系!广西桂林
来源
:
桂林电子工业学院学报
|
2000年
/ 03期
关键词
:
铁电薄膜;
铁电存储器;
FRAM;
FFET;
FDM;
FDRAM;
D O I
:
10.16725/j.cnki.cn45-1351/tn.2000.03.009
中图分类号
:
TP333 [存贮器];
学科分类号
:
081201 ;
摘要
:
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器 ,以其高密度、高速度、非挥发性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。本文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本结构、研究进展、应用及存在的问题等。
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页数:4
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Ferroelectrics[P]. OBERG PAUL E;OLMEN ROBERT W;GEIPEL WARREN J.中国专利:US2964832A,1960-12-20
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