In2O3基气体传感器研究现状

被引：16

作者：

詹自力

徐甲强

蒋登高

机构：

[1] 郑州大学化工学院

[2] 郑州轻工学院化工系

[3] 郑州大学化工学院河南郑州

[4] 河南郑州

来源：

关键词：

三氧化二铟; 气敏材料; 气体传感器;

D O I：

10.13873/j.1000-97872003.03.001

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

氧化铟作为一种新的气敏材料,有望在一定程度上解决现有气体传感器中存在的选择性差和工作温度高等问题。因此,按照被检测气体的种类,从In2O3的气敏材料制备及气敏性能两方面对现有性能较好的In2O3气体传感器进行了评述,并指出了In2O3基半导体气体传感器的发展方向。

引用

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