高亮度InGaN基白光LED特性研究

被引：8

作者：

李忠辉

丁晓民

杨志坚

于彤军

张国义

机构：

[1] 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室

[2] 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室北京

[3] 北京大学宽禁带半导体研究中心

[4] 北京

来源：

红外与毫米波学报 | 2002年 / 05期

关键词：

光源、InGaN、YAG、白光LED;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 3cd ,正向电压小于 3 5V ,色度坐标为 (0 2 8,0 34) ,显色指数约为 70 .

引用

页码：390 / 392

页数：3