电场对Au-Ag薄膜结构影响的AFM和VAXPS研究

被引:2
作者
时方晓
叶小燕
姚文清
曹立礼
董宇辉
机构
[1] 清华大学化学系,中国科学院物理研究所
关键词
原子力显微镜,X射线光电子谱,表面分析,电迁移;
D O I
暂无
中图分类号
O614.12 [铜副族(IB族金属元素)];
学科分类号
摘要
利用原子力显微镜(AFM)和变角X射线光电子谱(VAXPS)技术研究了Au-Ag/SiO2体系在直流电场作用下,Au、Ag电迁移的特点及所引起的薄膜结构的变化。观察到较低温度下Au、Ag聚集状态的显著变化。发现电迁移过程中Au-Ag薄膜与SiO2基底之间存在界面化学反应,膜层中Au、Ag、Si等元素的化学状态发生了相应的变化。这些结果表明SiO2表面上Au-Ag复合薄膜电迁移不只是一个水平方向的扩散,而是一个复杂的物理化学过程。在此基础上提出了电场作用下Au-Ag薄膜迁移扩散反应机制。
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