ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响

被引:3
作者
樊中朝
余金中
陈少武
杨笛
严清峰
王良臣
机构
[1] 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室北京,北京,北京,北京,北京,北京
关键词
SOI; ICP; 粗糙度; 脊形光波导;
D O I
暂无
中图分类号
TN305 [半导体器件制造工艺及设备];
学科分类号
1401 ;
摘要
研究了以 C4 F8/SF6 /O2 为刻蚀气体 ,利用 ICP刻蚀技术制作 SOI脊形光波导过程中 ,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系 .实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数 ,在低偏压、低 C4 F8/SF6 比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁 .通过优化刻蚀参数 ,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的 SOI脊形波导
引用
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页码:1500 / 1504
页数:5
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