ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究

被引：22

作者：

李盛涛 ^{[1
]}

成鹏飞 ^{[2
]}

赵雷 ^{[1
]}

李建英 ^{[1
]}

机构：

[1] 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室

[2] 西安工程大学理学院

来源：

物理学报 | 2009年 / 58卷 / 01期

基金：

国家杰出青年科学基金;

关键词：

ZnO压敏陶瓷; 本征缺陷; 介电谱; 热处理;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM282 [压电陶瓷材料];

学科分类号：

0805 ; 080502 ; 080801 ;

摘要：

从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130—20℃范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下105Hz处的特征损耗峰在低温下分裂为两个特征峰,认为它们起源于耗尽层中的本征缺陷(锌填隙或/和氧空位)的电子松弛过程.发现ZnO-Bi2O3二元系陶瓷特征峰仅仅由锌填隙引起,而ZnO-Bi2O3六元系压敏陶瓷特征峰则由锌填隙和氧空位共同引起.分析了热处理温度和气氛对试样介电谱的影响,发现锌填隙浓度对热处理温度更敏感,而氧空位浓度对热处理气氛更敏感.

引用

页码：523 / 528

页数：6

共 17 条

[1]

Gupta TK,Carlson WG. Journal of Materials Science . 1985

[2]

Clark D R. Journal of the American Ceramic Society . 1999

[3]

MATTER[P]. ADAMS HERBERT JOHN FREDERICH;ANDERSON JON C;BLAIR MURRAY R JR;RUBIO ROBERT L DI;TAKMAN BERTIL HERBERT.澳大利亚专利:AU5258373A,1974-08-29

[4]

Polycrystalline semiconductors physical properties and applications. Harbeke G. . 1985

[5]

Stucki,F,Greuter,F. Applied Physics Letters . 1990

[6]

Pressure-thermodynamic study of grain boundaries: Bi segregation in ZnO. J.-R. Lee,Y.-M. Chiang and G. Ceder. Acta Materialia . 1997

[7]

Eda,K,Iga,A,Matsuoka,M. Journal of Applied Physics . 1980

[8]

Clarke D R. Journal of Applied Physics . 1978

[9]

Matsuoka,M. Japanese Journal of Applied Physics . 1971

[10]

Zinc oxide varistors. Eda K. IEEE Electr Insul Mag . 1989

← 1 2 →