AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响

被引：10

作者：

张益

潘钟

杜云

黄永箴

吴荣汉

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心北京,中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心北京,中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心北京,中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心北京,中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心北京

来源：

半导体学报 | 1999年 / 03期

关键词：

氧化速率; As; VCSEL; 垂直腔面发射激光器;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.5 [氧化层生长];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

结合垂直腔面发射激光器的制备 ,详细研究了 Al As选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和 Al As薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响 ,给出了合理的定性解释 ,并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件 .在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的 In Ga As垂直腔面发射激光器 .

引用

页码：260 / 264

页数：5

共 14 条

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