一维纳米材料的合成及显微结构

被引：6

作者：

周光文

张泽

俞大鹏

机构：

[1] 中国科学院凝聚态物理中心北京电子显微镜实验室!北京

[2] 北京大学物理系介观物理国家实验室!北京

来源：

中国科学(A辑) | 1999年 / 01期

关键词：

激光沉积; 硅纳米线; 结构缺陷; 氮化硼纳米管;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB381 [智能材料];

学科分类号：

080501 ; 1405 ;

摘要：

利用脉冲激光方法成功地制备了硅的一维纳米线 (SiNW )和氮化硼纳米管(BN -NTs) .该方法合成的一维纳米材料具有产量大 ,纯度高 ,直径均匀等特点 .利用透射电子显微镜对这些一维纳米材料的微观结构进行了表征 .观察到硅纳米线中存在微孪晶、堆垛层错、小角晶界等高密度的结构缺陷 .并且发现这些结构缺陷与硅纳米线的生长和形貌有着密切的关系 .BN -NTs主要为单层管 ,管的表面光滑而没有吸附物 ,单层管的形成可归结为在催化剂的作用下管的轴向生长速度远大于横向生长所致

引用

页码：85 / 91

页数：7

共 12 条

[1]

Propagation mechanism of germanium dendrics. Hamilton D R,Seidensticker R G. Journal of Applied Physics . 1960

[2]

Growth mechanism in germanium dendrites: three twin dendrites, experiments on andmodels for the entrie interface. Seidensticker R G,Hamilton D R. Journal of Applied Physics . 1963

[3]

Dendritic growth of germanium crystals. Bennett A I,Longini R L. Physical Review . 1959

[4]

Stability and band gap constancy of boron nitride nanotubes. Blase X,Rubio A,Louie S G,et al. Europhysics Letters . 1994

[5]

Fundamental aspects of VLS growth. Givargizov E I. Journal of Crystal Growth . 1975

[6]

A quantitative study on the growth of silicon whiskers from silane and germanium whiskers fromgermane. Boostma G A,Gassen H J. Journal of Crystal Growth . 1971

[7]

Vapor -liquid -solidmechanismofsinglecrystalgrowth. WagnerRS,EllisWC. Applied Physics Letters . 1964

[8]

Synthesis of Boron Nitride Nanotubes by Means of Excimer Laser Ablation at High Temperature. Yu D P,Sun X. S,Lee C S,et al. Applied Physics Letters . 1998

[9]

Synthesis of nano-scale silicon wires by excimer laser ablation at high temperature. Yu D P,Lee C S,Bello I,et al. Solid State Communications . 1998

[10]

Boron nitride nanotubes with reduced numbers of layers synthesized by ARC discharge. Loisaeu A,Williame F,Demoncy N,et al. Physical Review Letters .

← 1 2 →