ZnO压敏电阻界面导电特性研究

被引：9

作者：

禹争光

杨邦朝

机构：

[1] 电子科技大学微电子与固体电子学院

来源：

功能材料 | 2004年 / 06期

关键词：

氧化锌压敏电阻; 纯氧化锌陶瓷; 光电子能谱; 非化学计量; 陷阱态;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM54 [电阻器、电位器];

学科分类号：

摘要：

采用相同的工艺制备ZnO压敏电阻和未掺杂ZnO陶瓷片后,用扫描电镜(SEM)、电阻率计和X射线光电子能谱(XPS)对它们形貌、电阻率、界面化学计量比和电子状态进行了研究。实验发现:未掺杂ZnO晶粒粒径小于10μm且均匀性差;ZnO电阻率对烧结气氛敏感,其值在2.36～47.97Ω·cm之间,界面存在非化学计量氧锌比,O/Zn=1.29。掺杂后,ZnO压敏电阻界面价电子峰减小,证实压敏电阻陷阱态的存在,表明需用载流子陷阱态补充双肖特基势垒模型。

引用

页码：709 / 710+715 +715

页数：3