多晶TiO2氧敏特性及其机制的研究

被引：2

作者：

严六明

严琪良

关庆彬

王燕谋

王廷籍

机构：

[1] 华东理工大学化学系

[2] 中国建筑材料研究院

来源：

关键词：

金红石；电导率；晶体缺陷；氧敏感电阻器;

D O I：

10.14135/j.cnki.1006-3080.1997.04.017

中图分类号：

TQ174.756 [];

学科分类号：

0809 ;

摘要：

研究了多晶金红石ＴｉＯ２氧敏半导体材料的氧敏特性及其机制。结果表明，表征ＴｉＯ２导电机制的特性参数ｍ并非常数，它与杂质浓度、温度、氧分压等多种因素有关。本文认为，ＴｉＯ２的主要点缺陷由不同电离状态的氧空位所构成，该模型可以解释有关的实验结果。

引用

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