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紫外写入制备普通单模光纤光栅
被引：2
作者：
王庆亚，张健，郑伟，张玉书，高鼎三，谢世仲，曾定利，孙成城，周炳琨
机构：
[1] 集成光电子国家重点实验室吉林大学分区，吉林大学电子工程系，清华大学电子工程系
来源：
关键词：
准分子激光，相位掩膜，光纤光栅;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN25 [波导光学与集成光学];
学科分类号：
0702 ;
070207 ;
摘要：
采用高压低温掺氢技术提高了普通单模光纤的光敏特性，利用相位掩膜法，通过紫外写入的方式，在普通含锗光纤上制备了光纤光栅，获得的Ｂｒａｇｇ反射波长为１５５２ｕｍ，峰值反射率约４８％，半高宽约１．２ｕｍ．
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