基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器

被引：11

作者：

李献杰

刘英斌

冯震

过帆

赵永林

赵润

周瑞

娄辰

张世祖

机构：

[1] 中国电子科技集团公司第十三研究所

来源：

红外与激光工程 | 2007年 / 04期

关键词：

MOCVD; AlGaAs/GaAs; 量子阱红外探测器; 红外热成像;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN215 [红外探测、红外探测器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAsQWIP焦平面探测器阵列。用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估,针对不同材料结构,实现了9μm和10.9μm的截止波长;黑体探测率最高达到2.6×109 cm.Hz1/2.W-1。将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连,成功演示了室温环境下目标的红外热成像;并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。

引用

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