Si在SF6＋N2中反应离子刻蚀及其剖面的研究

被引：1

作者：

程美乔，周帆，赵长威

机构：

[1] 国家光电子工艺中心，中国科学院半导体研究所

来源：

关键词：

Si，反应离子刻蚀，腐蚀剖面;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

本文报导了用ＳＦ＿６＋Ｎ＿２混合气体反应离子刻蚀Ｓｉ及其剖面的实验结果，研究了在刻蚀时，混合气体的成份和射频功率密度对Ｓｉ的蚀速影响以及Ｓｉ的负载效应，通过实验得到了一种获得Ｓｉ的腐蚀垂直剖面的方法，该腐蚀技术在制作微机械马达和周期为４６６．８ｎｍ的二级光栅（线宽０．２μｍ）中得到应用。

引用

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