CaCu3Ti4O12陶瓷松弛损耗机理研究

被引：4

作者：

王辉

林春江

李盛涛

李建英

机构：

[1] 西安交通大学,电力设备电气绝缘国家重点实验室

来源：

物理学报 | 2013年 / 62卷 / 08期

关键词：

CaCu3Ti4O12陶瓷; 介电损耗; 松弛过程; Schottky势垒;

D O I：

暂无

中图分类号：

O482.4 [电学性质];

学科分类号：

070205 ; 0805 ; 080502 ; 0809 ;

摘要：

CaCu3Ti4O12介电损耗较大且损耗机理尚不明确,因此限制了其应用.本文采用固相法和共沉淀法合成CaCu3Ti4O12陶瓷,利用宽带介电温谱研究在交流小信号作用下,双Schottky势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程、载流子松弛过程以及CaCu3Ti4O12陶瓷的介电损耗性能.研究发现,在低频下以跳跃电导和直流电导的响应为主,而高频下主要为深陷阱能级的松弛过程所致,特别是活化能为0.12eV的深陷阱浓度,这是决定CaCu3Ti4O12陶瓷高频区介电损耗的重要因素.降低直流电导,有利于降低低频区介电损耗;而高频区介电损耗的降低,需要降低深陷阱浓度或增大晶粒尺寸.共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷,有效降低直流电导及控制深陷阱浓度,介电损耗降低明显.

引用

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