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硅技术的极限
被引：1
作者：
ＤａｎＳｔａｎｚｉｏｎｅ
机构：
来源：
关键词：
晶体管;
半导体三极管;
光刻设备;
极限;
缺陷密度;
成品率;
半导体产业;
隧道效应;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.12 [];
学科分类号：
摘要：
硅技术的极限＠ＤａｎＳｔａｎｚｉｏｎｅ硅技术的极限ＤａｎＳｔａｎｚｉｏｎｅ晶体管的发明已有５０年的历史。这种技术发展到今天，能在几个平方厘米的单个硅芯片上装有多达１０亿个晶体管，该技术支撑着一种迅速增长的行业，其全球销售额高达２０００亿美元左右。从第一枚粗...
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