逆压电效应的压电常数和压电陶瓷微位移驱动器

被引:16
作者
陈大任
李国荣
殷庆瑞
机构
[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所!上海
[2] 不详
关键词
压电常数; 逆压电效应; 压电陶瓷微位移器;
D O I
暂无
中图分类号
TM282 [压电陶瓷材料];
学科分类号
摘要
本文介绍了由过压电效应的应变-电场曲线测得弱场和强场下的压电常数d33、d31.测量发现S~E曲线上呈现应变和压电系数突增的阈值场强Eb,用铁电陶瓷固有的90°畴转向对应变的贡献进行了分析和讨论.该方法与以往常用的正压电效应的压电常数测试相比,方便、简单,尤其对过压电效应的压电微位移驱动器应用更具有实际意义.
引用
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共 2 条
[1]   晶体结构对压电陶瓷微位移驱动器特性的影响 [J].
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李国荣 ;
朱梅根 ;
张望重 ;
张申 ;
殷庆瑞 .
功能材料与器件学报, 1997, (04) :20-26
[2]   压电陶瓷压电应变常数d33的测试方法的研究 [J].
叶正芳 ;
徐正堂 .
压电与声光, 1993, (04) :37-43