直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜

被引：21

作者：

金曾孙

姜志刚

白亦真

吕宪义

机构：

[1] 吉林大学超硬材料国家重点实验室

[2] 吉林大学超硬材料国家重点实验室吉林长春

[3] 吉林长春

来源：

新型炭材料 | 2002年 / 02期

关键词：

热阴极; PCVD; 金刚石厚膜;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃～ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜 ,其厚膜直径为 4 0mm～ 5 0mm ,膜厚为～ 4 .2mm ,生长速率最高达到 2 5 μm/h左右 ,在 5 μm/h～ 10 μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜 ,热导率一般在 10W/K·cm～12W /K·cm。高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板 ,明显地改善了它们的性能

引用

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页数：4

共 5 条

[1]

Large area deposition of thick diamond films by direct-current PA CVD. Baik Y J,Lee J K,Lee W K,et al. Thin Solid films . 1999

[2]

Growth of diamond thin films by dc plasma chemical vapor depostion. Suzuki K,Sawabe A,Yazuki H,et al. Applied Physics Letters . 1987

[3]

Deposition of thick diamond films by plused dc glow discharge CVD. Hartmann P,Haubner R,Luk B. Diamond and Related Materials . 1996

[4]

Diamond thin films technology 2A: diamond and DLC. Bachman P K,Linz U. Advanced Materials . 1990

[5]

Free-standing diamond wafers deposited by multi-cathode, direct-current, plasma-assisted chemical vapor deposition. Lee Joe-Kap,Eun Kwang-Yong,Chao Hee-Baik,et al. Diamond and Related Materials . 2000

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