PECVD法生长的nc－Si：H膜电导率的研究

被引：2

作者：

韦亚一，郑国珍，何宇亮

机构：

[1] 上海技术物理研究所红外物理国家实验室，南京大学物理系及固体微结构国家实验室

来源：

功能材料 | 1994年 / 06期

关键词：

nc－Si：H膜，有效介质理论，电导率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.12 [];

学科分类号：

摘要：

使用ＰＥＣＶＤ方法生长了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜，Ｘ射线衍射、Ｒａｍａｎ光谱和电镜观测表明样品具备了纳米结构特征。测量了样品在７７Ｋ～４００Ｋ温度范围的电导率，并使用二相随机分布有效介质理论，计算了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中晶粒部分和晶界部分的电导率。对计算结果进行了理论分析，初步探讨了ｎｃ－Ｓｉ结构对其导电性能的影响，提出ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ的高电导率来源于膜中纳米晶粒的小尺寸效应。

引用

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