纳米SiC和SiC(N)粉体的微波介电特性及其与微波的作用机理

被引：3

作者：

赵东林

罗发

周万城

万伟

机构：

[1] 西北工业大学凝固技术国家重点实验室

[2] 西北工业大学电子工程系陕西西安

来源：

西北工业大学学报 | 2002年 / 02期

关键词：

纳米SiC(N)复相粉体; 纳米SiC粉体; 微波介电特性; 作用机理;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383 [特种结构材料];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

研究了纳米SiC粉体和纳米SiC(N)复相粉体在 8．2～12．4 GHZ频率范围的介电特性及其与微波的作用机理,发现纳米SiC(N)复相粉体介电常数的实部(ε’)和虚部(ε”)在8．2～12．4 GHZ范围内随频率增大而减小,介电损耗(tgδ=ε”/ε’)较高,是较为理想的微波吸收材料。纳米SiC粉体的ε’、ε和tgδ明显小于纳米SiC(N)复相粉体的,对微波的吸收不理想。提出了纳米SiC(N)复相粉体对微波的吸收机理。纳米SiC(N)复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米SiC(N)复相粉体中形成大量的带电缺陷,这些带电缺陷在电磁波交变电场作用下产生极化耗散电流,强烈的极化弛豫过程导致大的介电损耗。

引用

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