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等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究
被引：35
作者：
陈晓南
杨培林
庞宣明
袁丛清
不详
机构：
[1] 西安交通大学机械工程学院
[2] 西安交通大学机械工程学院 西安
[3] 西安
来源：
关键词：
感应耦合等离子体;
干法刻蚀;
硅;
D O I：
暂无
中图分类号：
O539 [等离子体物理的应用];
学科分类号：
070204 [等离子体物理];
摘要：
用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP)的干法刻蚀过程中,工艺参数对刻蚀速率的影响.研究结果表明,刻蚀速率随SF6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大,但当SF6气体流量、自偏压达到一定值后,刻蚀速率开始降低.实验中对工艺参数进行了优化,在射频功率为500W、自偏压为150V、流量为50cm3/s,以及SiO2和Si3N4的选择比为15的条件下,硅的刻蚀速率达到了0 80μm/min.
引用
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页码：546 / 547
页数：2
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