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半导体照明发光二极管(LED)芯片制造技术及相关物理问题
被引：11
作者：
李刚
机构：
[1] 方大集团股份有限公司方大国科光电技术有限公司深圳
来源：
关键词：
发光二极管;
半导体照片;
芯片;
氮化镓;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN312.8 [];
学科分类号：
0803 ;
摘要：
以化合物半导体材料为发光元件的半导体固态照明正引发人类照明史上的又一次伟大革命.目前,局限半导体照明广泛应用的主要技术瓶颈有:出光效率(或外量子效率),单管最大可发光通量(或最大可工作功率),单位光通量的成本和发光二极管可正常使用寿命.文章综述和分析了与芯片发光效率(或外量子效率)和单芯最大可发光通量(或最大可工作功率)相关的制造技术和相关物理问题.
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