共 1 条
硅晶体纳米压痕试验与应力场分析
被引：11
作者：
汪久根
RYMUZA Z
机构：
[1] 浙江大学机械系
[2] 华沙工业大学机电工程系 浙江杭州
[3] 波兰华沙
来源：
基金：
浙江省自然科学基金;
关键词：
TH117.1硅晶体;
纳米压入法;
纳米硬度;
应力分布;
D O I：
10.16078/j.tribology.2001.06.021
中图分类号：
TH117.1 [摩擦与磨损];
学科分类号：
080203 ;
摘要：
采用纳米压入法测量了4种硅晶体的微压痕特性,讨论了加载过程与卸载过程的特征,分析了硅晶体的纳米压入测量结果,同时计算了硅晶体中的应力分布.计算结果表明,剪应力为硅晶体微薄片剥落失效的原因
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