CaMoO4∶Eu3+发光材料的制备和发光性质的研究

被引：17

作者：

王喜贵

薄素玲

齐霞

娜米拉

李力猛

机构：

[1] 内蒙古师范大学化学与环境科学学院

[2] 内蒙古师范大学磁性材料重点实验室

来源：

无机化学学报 | 2009年 / 25卷 / 02期

关键词：

CaMoO4; Eu3+; 发光性质;

D O I：

暂无

中图分类号：

O482.31 [发光学];

学科分类号：

070205 ; 0805 ; 080502 ; 0809 ;

摘要：

用共沉淀法与高温焙烧法制备了样品CaMoO4∶Eu3+。TG-DTA谱图表明:800℃时,样品吸收的能量最大,即形成稳定的CaMoO4∶Eu3+结构。用XRD谱图进一步分析表明:800℃时,样品CaMoO4∶Eu3+已形成CaMoO4的白钨矿结构。由于2个Eu3+取代3个Ca2+,导致了晶体产生微小的晶体缺陷,从而形成具有p-n结的半导体。经过激发和发射谱图的测试发现:这种缺陷结构不但可以使Eu3+禁戒的4f电子发生跃迁,而且可以使MoO42-的能量高效地传递给Eu3+,尤其使与MoO42-的发射特征峰(488nm)部分重叠的Eu3+(465nm)的7F0→5D2电子跃迁得到了极大的加强,进而在λex=465nm的发射谱图中,自激活荧光体MoO42-的发射强度被大大减弱甚至猝灭,而Eu3+的5D0→7F2(612nm)跃迁的红光发光强度被大大增强,使该材料成为有潜在应用价值的发光材料。

引用

页码：350 / 353

页数：4

共 7 条

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