共 1 条
[1]
Robinson A M; Barnes C H W; Phys. Rev. B 2001,
二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响
被引：2
作者：
盛钢
高宏雷
李玲
高洁
机构：
[1] 四川大学物理科学与技术学院
[2] 四川大学物理科学与技术学院 成都
[3] 成都
来源：
关键词：
声电电流;
二维电子气;
分裂门;
D O I：
暂无
中图分类号：
O421.6 [];
O424 [物理声学];
学科分类号：
070206 ;
082403 ;
摘要：
表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs量子阱表面沿一维电子通道方向传播时,可诱导产生声电电流.由于GaAs/AlxGa1-xAs材料的压电效应,伴随SAW要产生一个压电运动电势.该压电势与异质结中二维电子气(2DEG)的深度有关.作者采用准经典(WKB)近似,研究了2DEG的深度对一维电子通道中声电电流量子化特性的影响.
引用
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页码：604 / 608
页数：5
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