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突破间接带局限 创新Si基激光器
被引：2
作者：
王启明
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所国家集成光电子学联合重点实验室北京
来源：
关键词：
Si基材料;
纳米技术;
能带工程;
稀土离子;
激光器件;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN248 [激光器];
学科分类号：
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要：
Si基高效发光与受激光发射是Si基光子学突破性发展的关键课题 ,它的实现对Si基微电子学的发展有深远的重大意义 .由于受到天然Si材料间接带能带结构的限制 ,Si材料的发光效率极低 ,更谈不上可实现受激光发射 ,人工改性就成为当代研究、开拓的主要途径 .新的Si基直接带体材料 (如 β -FeSi2 等 )的探索 ,Ge/Si量子阱、超晶格、量子点的能带工程介观改性 ,子带发光跃迁的探索 ,异类元素插入短周期超晶格中的化学键改性 ,以及SiO2 高浓度nc-Si的生成和高激活度稀土离子的掺入发光等已开展了多途径的研究 ,不同程度上取得了重要的进展 ,一种MIS结构电子隧道注入高效发光器件已在SiO2 :REMOS结构中实现 .运用激光器件物理的深入设计和新的器件技术的引入 ,可以预计本世纪初叶 ,对实现Si基激光器的奢望将会成为现实 ,无疑它对Si基光子学、Si基集成光电子学乃至信息高科技的发展将作出历史性的巨大贡献
引用
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