SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究

被引:1
作者
郜小勇
卢景霄
李仲明
许颖
励旭东
机构
[1] 郑州大学物理工程学院!郑州
[2] 北京市太阳能研究所!北京
关键词
颗粒带硅; 热化学; 气相沉积; 多晶硅薄膜; 太阳电池;
D O I
暂无
中图分类号
TM914.4 [太阳能电池];
学科分类号
080502 ;
摘要
从简化步骤、降低成本的角度出发 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法在低纯颗粒带硅 (SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池 .测试结果表明 ,实验室制备的无钝化、无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了 3 .5 7%的转换效率 .并在此基础上提出采用氢钝化、减反射、快速生长和隔离技术 ,期待电池效率能有进一步的提高
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共 1 条
[1]  
多晶硅薄膜及其在集成电路中的应用.[M].王阳元;[美]卡明斯(Kamins;T;I·) 编著.科学出版社.1988,