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SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究
被引:1
作者
:
郜小勇
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机构:
郑州大学物理工程学院!郑州
郜小勇
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机构:
卢景霄
李仲明
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郑州大学物理工程学院!郑州
李仲明
许颖
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郑州大学物理工程学院!郑州
许颖
励旭东
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机构:
郑州大学物理工程学院!郑州
励旭东
机构
:
[1]
郑州大学物理工程学院!郑州
[2]
北京市太阳能研究所!北京
来源
:
郑州大学学报(自然科学版)
|
2001年
/ 02期
关键词
:
颗粒带硅;
热化学;
气相沉积;
多晶硅薄膜;
太阳电池;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM914.4 [太阳能电池];
学科分类号
:
080502 ;
摘要
:
从简化步骤、降低成本的角度出发 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法在低纯颗粒带硅 (SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池 .测试结果表明 ,实验室制备的无钝化、无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了 3 .5 7%的转换效率 .并在此基础上提出采用氢钝化、减反射、快速生长和隔离技术 ,期待电池效率能有进一步的提高
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页数:3
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多晶硅薄膜及其在集成电路中的应用.[M].王阳元;[美]卡明斯(Kamins;T;I·) 编著.科学出版社.1988,
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