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全球氮化镓激光器材料及器件研究现状
被引：2
作者：
刘建平
杨辉
机构：
[1] 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
来源：
关键词：
激光器;
nm;
Ga;
输出功率;
光激射器;
电子器件;
激射波长;
阈值电流密度;
氮化镓;
氮化物;
器件研究;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN248 [激光器];
学科分类号：
摘要：
<正>氮化物半导体材料,也称为氮化镓(GaN)基材料,是继硅(Si)、砷化镓(Ga As)之后的第3代半导体材料,包含了Ga N、氮化铝(Al N)和氮化铟(In N)及它们的合金(禁带宽度范围为0.7～6.2e V),是直接带隙半导体,是制作从紫外到可见光波段半导体激光器的理想材料。半导体激光器具有体积小、效率高、寿命长和响应速度快等优点,在信息科技等领域有广泛的应用,是光电子产业的龙头产品。氮化镓激光
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