高性能集成电路在片ESD保护设计与评价

被引:3
作者
于宗光
机构
关键词
静电泄漏; 集成电路; ESD; HDM; MM; CDM;
D O I
10.16257/j.cnki.1681-1070.2002.03.014
中图分类号
TN402 [设计];
学科分类号
080903 ; 1401 ;
摘要
本文详细介绍了在片静电泄漏(ESD)保护设计的各种技术,包括 ESD 测试模式,ESD 失效机理,ESD 保护结构,ESD 器件模拟,ESD 模拟,ESD 版图设计,ESD 与内部电路的接口等,并给出了 ESD 设计检查清单。
引用
收藏
页码:34 / 44
页数:11
相关论文
共 1 条
[1]  
On-chip ESD protection design for integrated circuits:an overview for IC Designers. Wang A,Feng HG,Gong K,et al. Microelectronics Journal . 2001