制备SnO2薄膜时原料中水对其成膜和光电性质的影响

被引：8

作者：

徐慢，袁启华，徐建梅

机构：

[1] 武汉工业大学新材料研究所

来源：

关键词：

SnO2薄膜，透明导电膜，四氯化锡;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

用无水ＳｎＣｌ＿４和ＳｎＣｌ＿４·５Ｈ＿２Ｏ为原料，用热喷涂法制备ＳｎＯ＿２薄膜，在基片温度为５３０℃时，对所制得ＳｎＯ＿２薄膜进行Ｘ－射线、ＳＥＭ分析，并对其光电性质进行测定。总结出含Ｈ＿２Ｏ的ＳｎＣｌ＿４制得的ＳｎＯ＿２薄膜生长速度快，电阻率低。

引用

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