半导体ZnO单晶生长的技术进展

被引:14
作者
李新华
徐家跃
机构
[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所
关键词
氧化锌; 结晶习性; 晶体生长;
D O I
暂无
中图分类号
TN304.2 [化合物半导体]; O782 [晶体生长工艺];
学科分类号
摘要
ZnO单晶是一种具有半导体、发光、压电、电光、闪烁等性能的多功能晶体材料。近年来,它在紫外光电器件和GaN衬底材料等方面的应用前景而使其成为新的研究热点。本文综述了ZnO单晶助熔剂法、水热法、气相法等生长技术的研究进展,结合ZnO单晶的化学结构,探讨了该晶体的结晶习性及生长技术发展方向。
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页码:652 / 654+657 +657
页数:4
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