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半导体ZnO单晶生长的技术进展
被引:14
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
李新华
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
徐家跃
机构
:
[1]
中国科学院上海硅酸盐研究所
来源
:
功能材料
|
2005年
/ 05期
关键词
:
氧化锌;
结晶习性;
晶体生长;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN304.2 [化合物半导体];
O782 [晶体生长工艺];
学科分类号
:
摘要
:
ZnO单晶是一种具有半导体、发光、压电、电光、闪烁等性能的多功能晶体材料。近年来,它在紫外光电器件和GaN衬底材料等方面的应用前景而使其成为新的研究热点。本文综述了ZnO单晶助熔剂法、水热法、气相法等生长技术的研究进展,结合ZnO单晶的化学结构,探讨了该晶体的结晶习性及生长技术发展方向。
引用
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页码:652 / 654+657 +657
页数:4
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Robert F. Science . 1997
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